Эффект Холла в полупроводниках

Эффект Холла в полупроводниках

Цена по запросу

Назначение:

Изучение эффекта Холла в полупроводниковом образце германия
Измерение зависимости ЭДС Холла от величины индукции магнитного поля и тока через образец
Определение постоянной Холла и концентрации носителей тока в образце
Устройство:

Исследуемый образец из полупроводникового материала и чувствительный элемент датчика магнитного поля помещены в разрыв магнитопровода электромагнита. Изменение направления магнитного поля и направления тока в образце производится с помощью переключения штекерных разъемов.

Устройство:

При проведении измерений цифровые датчики регистрируют индукцию магнитного поля в области расположения образца, ток в образце и напряжение на нем (ЭДС Холла). Аппарат работы с данными предусматривает возможность построения графика зависимости ЭДС Холла от любого из изменяемых параметров (магнитное поле, ток в образце) и вывод на экран углового коэффициента получаемых зависимостей, необходимого для расчета постоянной Холла. Лабораторная установка сопровождается методическим руководством и является полностью подготовленной для учебного процесса лабораторной задачей. Методическое руководство содержит описание физики явления, методические и технические сведения, необходимые для выполнения работы.